去重庆游玩最怕啥?当然害怕电量不够用!

2018年11月11日 18:06 | 来源:中国派原创 | 作者:陈浩
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来到重庆磁器口最怕的是什么?是手机拍照不够好,拍不出磁器口的美景和美食?还是害怕钱包不够厚,无法享受到磁器口的特色美食,带不走那些小而精致的手工作品?来到磁器口的人,最害怕的应该是手机续航容易“尿崩”,在这个手机不离手的现代社会,手机没电是最令人感到恐惧的事情,没有它在磁器口可谓是“寸步难行”。

【CN314智能生活】来到重庆磁器口最怕的是什么?是手机拍照不够好,拍不出磁器口的美景和美食?还是害怕钱包不够厚,无法享受到磁器口的特色美食,带不走那些小而精致的手工作品?来到磁器口的人,最害怕的应该是手机续航容易“尿崩”,在这个手机不离手的现代社会,手机没电是最令人感到恐惧的事情,没有它在磁器口可谓是“寸步难行”。

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磁器口的面积并不大,但是每一处都值得驻足停留,只要你带上vivo Z3,从早玩到晚并不是梦,拍照、移动支付、上网聊天、游戏娱乐,让你在磁器口过上充实而满足的一天。

硬件与系统:强大续航的基础

其实乍一看到vivo Z3电池容量的时候,你很难相信它的续航能够支撑你在磁器口玩一整天,3315mAh的电池容量只能算是一般,与一些主打续航的手机有着明显的差距。从硬件层面上来说,它能够实现长续航还要得益于高通骁龙710这款高能效比的处理器。

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骁龙710被称为是中高端市场的新“神U”,不仅具备较强的性能,其功耗之低更是一绝,这主要是因为它采用了先进的10nm FinFET制程工艺,极大地降低了处理器低功耗。在处理器的晶体管结构中,电流会从源极流入漏级,而栅极主要负责控制前两者的通断。而电流在源极流入漏级时会有明显的损耗,表现出来便是手机的功耗。只有栅极越窄,处理器的功耗才会更低,而栅极的最小宽度便是制程中的数值,比如骁龙710栅极最小宽度便是10nm。

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FinFET属于工艺技术,这一技术对于处理器功耗改善也有一定的作用,通过将芯片内部结构从平面转换为3D,增大栅极的接触面积,进一步减小了栅极的宽度。骁龙710的整体功耗相较于上一代降低了40%,整体功耗经过测试与骁龙625这款续航神U相当。

Z3的内存高规格为LPDDR4X,与LPDDR4相比虽然在性能上没有明显提升,但是功耗却有着20%-40%的降低,可进一步提升Z3的续航能力。除了硬件之外,其搭载的Funtouch OS中也有多项针对续航的优化,比如更加智能的性能调度、后台应用耗电管理等等。

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实际体验:正常使用,一天一充

动身去磁器口之前,vivo Z3的电量为100%;到达磁器口是早上9点,因为在半个小时左右的路程中看了一会新闻,电量剩余96%。

在中午之前,vivo Z3主要用来拍照、浏览社交平台和网络聊天,后两者耗时比较多,大约在两个小时左右,并经常播放小视频。整个上午很少有锁屏的时候,到中午电量剩余65%。

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中午吃饭上菜之前抽空玩了一局《绝地求生:刺激战场》,采用4G的网络并开启自动亮度,游戏中开启手机能够启用的所有最高特效,在接近半小时的游戏中,耗电量为7%,剩余电量58%。

下午仍然重复上午的使用方式,在18点左右准备返程下榻酒店时,电量剩余13%。为了保证vivo Z3能够坚持到充电“续命”,返程的半小时主要通过听本地音乐以及在线电子书打发时间,耗电4%。

回到酒店开始为vivo Z3充电,初始电量为9%。因为它采用了22.5W的双引擎快充,所以半小时电量充入了50%,在60分钟时就已经充至90%。随后因为进入涓流充电的缘故,vivo Z3在85分钟后才充满电量,但这样的表现在千元机中还是相当不错的。

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结语

不难看出,vivo Z3的续航能力对于普通用户而言确实十分出色,一天一充并不是难事。当然,如果你出门在外还经常玩游戏,vivo Z3应该也可以提供7-8小时的续航时间,但因为屏幕亮度以及后台应用保留多少的差别,实际的游戏时间可能只有7小时不到。不过总玩游戏似乎就失去了出门游玩的乐趣了,像磁器口这样到处都是好吃的、好玩的网红景点,自然要多拍照,多和人聊天才能分享自己的快乐呀!